三相可控硅触发板电路原理讲解？

一、三相可控硅触发板电路原理讲解？

可控硅触发电路共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。

当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

二、三相全控可控硅触发原理？

三相全控可控硅触发工作原理是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整。

一个交流电的周期为360度,正半周为180度,负半周180度。可控硅又称可控整流元件,交流电通过整流元件时,元件让正180度电通过,阻止了负180度的通过,即所谓半波整流.交流电通过可控硅时,并不是让180度的正半周电全部通过的,即所谓可控整流.当正半周加到可控硅的阳极,在180度的某一角度时,在可控硅的控制极加一触发脉冲,例如在30度加一脉冲,可控硅只能通过余下的150度的电压。

这种使可控硅导电的起始角度称为导通角触发脉冲的α角是相对某个基准信号而言的。通常此基准信号称为同毕信号，因为它与电网电压是同步的。

三、可控硅触发原理？

双向可控硅触发电路工作原理：　　1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成　　当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。　　由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。　　由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化　　2,触发导通　　在控制极G上加入正向电压时，因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

四、mtc可控硅触发原理？

MTC可控硅触发原理是指通过控制MTC可控硅的门极电压和电流，使其进入导通状态，从而实现对电路的控制。

具体来说，当MTC可控硅的门极电压达到一定值时，会产生一个电流，这个电流会使MTC可控硅的P-N结区域发生反向击穿，从而使其进入导通状态。

触发电路通常采用脉冲变压器或者RC电路，通过控制触发电路的输出脉冲，可以实现对MTC可控硅的控制。MTC可控硅触发原理在电力控制、电子控制等领域得到广泛应用。

五、三相可控硅整流触发器工作原理？

可控硅触发器工作原理是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整。

一个交流电的周期为360度,正半周为180度,负半周180度.可控硅又称可控整流元件,交流电通过整流元件时,元件让正180度电通过,阻止了负180度的通过,即所谓半波整流.交流电通过可控硅时,并不是让180度的正半周电全部通过的,即所谓可控整流.当正半周加到可控硅的阳极,在180度的某一角度时,在可控硅的控制极加一触发脉冲,例如在30度加一脉冲,可控硅只能通过余下的150度的电压.这种使可控硅导电的起始角度称为导通角

触发脉冲的α角是相对某个基准信号而言的。通常此基准信号称为同毕信号，因为它与电网电压是同步的。

控制信号的变化转变为触发角α的变化，这一功能通常由移相触发电路来承担，这部分电路是整流控制电路的核心，控制电压与α角的关系可以是线性的，也可以是非线性的，视控制要求而定。控制电路应能满足α角移相范围的要求。

六、三相可控硅移相触发器原理？

移相触发器内部集成了三相电相位检测，移相电路，控制电路和三路单相随机固态继电器触发电路。

它可以由电位器自动控制或手动控制，而无需任何外部电路或工作电源，产生三个可以改变导通角的脉冲信号，然后分别控制三个单相随机固态继电器，从而可以将三相负载电压从0V无级调节到电网的满电压。

七、可控硅过零触发原理？

过零触发顾名思义就是过零点时候触发可控硅，交流电因为有正负半周，在正半周到负半周或者由负半周到正半周过程时候都要经过零点，在一定的时间内改变导通周波数来改变可控硅的输出平均功率，实现调节负载功率效果，周波数是指交流电完成一次完整的变化，即一个正弦波形所经历的时间叫一个周波。 这种类似于PWM信号调节电机输出，在一定时间内导通次数越多平均输出功率也就越大

八、可控硅触发电路原理？

可控硅触发电路共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。

当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

九、可控硅触发板烧坏的原因？

　　1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

　　2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。

　　3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。

　　4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。

　　5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

　　6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

　　损坏原因判别

　　当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。

　　1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

　　2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。

　　3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。

　　4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

十、求可控硅过零触发原理？

在可控硅调压应用中，特别电力系统应用，过零检测很重要，因为导通角的控制基准就是你的零点。触发脉冲有多种模式：

1种是脉冲宽度较宽，1种是多脉冲串触发；而后一种方式效果比较好。

可控硅本身是利用导通角来进行控制，在使用中输出波形肯定有很多高次谐波，你对波形要求高建议采用电感滤波。

如果在负载回路中有感性负载，注意，导通角要控制，最大导通角和你回路阻抗有关系，但电感较大，续流超过你的失控角，这时可控硅将会全导通，控制将不起作用。

可控硅只要保持电流达到它的维持电流，它就不会关断；由于电感的储能。

电流在电压为零时不立即为零，实际上电压为零时，可控硅还没有关断；所以在有电感的电路使用中，最大导通角要受限制。所以触发信号延时，实际上是减小了导通角。

特别当两管反并联，控制导通的不一致或管子的不一致，容易产生正负半周的不对称。你可以看一下“电力电子技术”。

对于任意一复合周期振动函数y(T)按傅氏级数分解表示为：第一项称均值或直流分量，第二项为基波或基本振动，第三项称二次谐波，依此类推或把二次谐波以后的统称为高次谐波。